Jonu staru veidošanas sistēma

Jonu staru veidošanas sistēma

Leuven Instruments piedāvā 8 collu (IBS-8) un 12 collu (IBS-12) IBS sistēmas, kuru pamatā ir fiziska izsmidzināšana: pozitīvie joni no jonu avota tiek paātrināti, neitralizēti un bombardēti parauga virsmā, veidojot paraugus.
Nosūtīt pieprasījumu
Apraksts

Produktu pārskats

Leuven Instruments piedāvā 8 collu (IBS-8) un 12 collu (IBS-12) IBS sistēmas, kuru pamatā ir fiziska izsmidzināšana: pozitīvie joni no jonu avota tiek paātrināti, neitralizēti un bombardēti parauga virsmā, veidojot paraugus.

01/

Kopējais dizains:Plazmas ģenerēšana ir atdalīta no vafeles zonas, lai izvairītos no traucējumiem no ne{0}}gaistošu blakusproduktu; abi atbalsta vienas/klasteru kameras konfigurācijas.

02/

Atšķirības:12-collu sistēma ir pielāgota 12-collu vafeļu masveida ražošanai ar liela diametra jonu avotu; 8 collu sistēma ir saderīga ar 8/6/4 collu vafelēm, kas ir ideāli piemērota vidēja un maza mēroga ražošanai un pētniecībai un attīstībai.

 

Priekšrocības

Kopējās priekšrocības

1. Plaša materiālu saderība: apstrādā metālus, sakausējumus, oksīdus, pusvadītājus, izolatorus utt.
2.Elastīga vadība: neatkarīga jonu staru enerģijas/blīvuma regulēšana; -90 grādi līdz +80 grādu pakāpes slīpums slīpiem rakstiem/sānu sienu tīrīšanai; grozāms posms viendabīgumam.

Diferencētas priekšrocības

1,12 collas (IBS-12):<1% etch uniformity (1σ), suitable for high-precision 12-inch advanced processes (e.g., emerging memory).
2,8 collas (IBS-8):<3%/2% uniformity (standard/large ion source); compact size, cost-effective, fit for mature nodes and R&D.

 

Priekšrocības

Īpaši{0}}augsta viendabīgums un precizitāte

Tā lielā{0}}diametra jonu avots trāpa<1% etching uniformity (1σ)-super consistent. You can tweak ion beam settings independently, dialing in parameters just right to cut down material damage.

Plaša materiālu saderība

Neviena ķīmiska{0}}piekārta, piemēram, RIE-neapstrādā visas cietās vielas, sākot no Ta un MTJ slāņiem līdz izolatoriem. Lieliski piemērots sarežģītām materiālu kaudzēm progresīvās ierīcēs.

Elastīga pielāgošanās spēja

Vafeļu stadija noliecas no -90 grādiem līdz +80 grādiem, lieliski piemērota slīpām konstrukcijām. Pievienojiet rotāciju uz ass, lai palielinātu simetriju, un tas būs piemērots visu veidu rakstīšanas vajadzībām.

Masveida ražošanas uzticamība

Tas ir gatavs ievietošanai 12-collu paneļos, strādājot ar visu veidu pārsūtīšanas moduļiem. Fiziskā izsmidzināšana nozīmē, ka nav ķīmisku atlieku,{3}}samazina apkopi un nodrošina stabilu darbību ilgtermiņā.

 

Lietojumprogrammas

 

Kopīgas lietojumprogrammas
Pusvadītāju modelēšana (loģikas/atmiņas ierīces); slīpu/slīpu režģu izgatavošana; post-etch sānu sienu tīrīšana.


Diferencētas lietojumprogrammas
1,12 collas: galvenais process 12 collu jaunajai atmiņai (piemēram, MRAM MTJ), kas integrēts ar LMEC-300™ masveida ražošanai.
2,8 collas: 8 collu nobriedušie mezgli (piemēram, 0,11 μm polimēru kodināšana); MEMS/optoelektroniskā pētniecība un attīstība.

 

Parametri

 

Kategorija

8 collu IBS sistēma

12 collu IBS sistēma

Modelis

Lorema A sērija

Pangea A sērija

Vafeļu saderība

8 collas (primārais); 6 collu/4 collu (pēc izvēles, izmantojot saderīgus elektrodus)

12 collu (ekskluzīvs)

Etch viendabīgums (1σ)

<3% (standard ion source); <2% (optional large-diameter ion source)

<1% (large-diameter ion source as standard)

Jonu staru kontrole

Neatkarīga jonu staru enerģijas un plūsmas regulēšana

Neatkarīga jonu staru enerģijas un plūsmas regulēšana

Skatuves slīpuma diapazons

-90 grādi līdz +80 grāds (iespējo slīpa jonu stara biežumu)

-90 grādi līdz +80 grāds (iespējo slīpa jonu stara biežumu)

Skatuves funkcija

Rotējams procesa laikā (uzlabo procesa asimetriju)

Rotējams procesa laikā (uzlabo procesa asimetriju)

Kameras konfigurācija

Vienas{0}}kameras vai kopu konfigurācijas (neobligāti)

Integrējams dažādās klasteru sistēmās (saderīgs ar liela mēroga{0}}ražošanas līnijām)

Materiālu saderība

Metāli, sakausējumi, oksīdi, savienojumi, pusvadītāji, izolatori un citi cietie materiāli

Metāli, sakausējumi, oksīdi, savienojumi, pusvadītāji, izolatori un citi cietie materiāli

Lietojumprogrammu pamatscenāriji

8 collu nobrieduši procesa mezgli (lielāks par vai vienāds ar 0,11 μm), polimēru kodināšana, STI papildu apstrāde, pētniecība un attīstība (MEMS/optoelektronika)

12-collu uzlaboti procesi, jauna atmiņa (MRAM MTJ, PCRAM fāzes maiņas slānis) masveida ražošana

 

FAQ

 

J: Kā izvēlēties starp 8 collu un 12 collu IBS sistēmām?

A: Izvēlieties, pamatojoties uz vafeļu izmēru un ražošanas apjomu. Izvēlieties 12{7}}collu 12 collu vafeļu masveida ražošanai ar augstu precizitāti; 8 collu ir ideāli piemērots 8/6/4 collu vafelēm, maziem un vidējiem ražojumiem vai pētniecībai un attīstībai.

J. Vai sistēmas var apstrādāt materiālus, kas nav{0}}pusvadītāji?

A: Jā. Abi atbalsta gandrīz visus cietos materiālus, tostarp metālus, oksīdus, izolatorus un kompozītmateriālus, izņemot pusvadītāju substrātus.

J: Vai 8 collu sistēmu var uzlabot, lai apstrādātu lielākas vafeles?

A: Nē. 8 collu sistēma ir strukturāli paredzēta 8 collu un mazākām vafelēm; 12 collu vafelēm nepieciešama īpaša Pangea A sērija.

J: Kas nodrošina abu sistēmu procesa stabilitāti?

A. Plazmas ražošanas un vafeļu zonas atdalītais dizains novērš blakusproduktu traucējumus, kā arī grozāmās pakāpes un standarta{0}}saderīgie komponenti garantē stabilitāti.

 

Populāri tagi: jonu staru veidošanas sistēma, Ķīnas jonu staru veidošanas sistēmu ražotāji, piegādātāji

Nosūtīt pieprasījumu