KOPSAVILKUMS
Bezmaskas litogrāfijas (tiešās{0}}rakstīšanas) sistēmas izvēle ir viens no stratēģiskākajiem lēmumiem progresīvai tīras telpas iekārtai. Lai gan tehnoloģija bez maskas novērš fiziskās fotomaskas iegādes izmaksas (ietaupot tūkstošiem dolāru par pārskatīšanu) un saīsina konstrukcijas aprites ciklus no nedēļām līdz minūtēm, aprīkojuma izvēle bieži vien cieš no būtisku tehnisko specifikāciju pārpratuma.
Procesu inženieri un iepirkumu komandas bieži novērtē iekārtas, pamatojoties tikai uz vienu "minimālā objekta izmēra" skaitli piegādātāja datu lapā. Tomēr fotolitogrāfijas fizikā izolēta kritiskā dimensija (CD) un blīvs minimālais līnijas/telpas (L/S) periodiskais solis attēlo pilnīgi atšķirīgus optiskos režīmus:
• Kritiskā dimensija (CD) nosaka šaurāko izolēto elementu (piemēram, izolētu tranzistora vārstu vai kontaktjoslu), ko optiskā sistēma var pakļaut fotorezistam.
• Minimālā līnija/atstarpe (L/S) definē mazāko atkārtojošos 1:1 līniju un tranšeju periodisko masīvu (piemēram, blīvus optiskos režģus vai augsta -blīvuma starpsavienojumu kopnes), ko sistēma var notīrīt bez tiltu veidošanās, izkliedēšanas vai tuvuma kropļojumiem.
Mašīnai, kas spēj drukāt 0,4 μm izolētu kompaktdisku, var būt nepieciešama minimālā līnija/atstarpe 0,8 μm, veidojot blīvus periodiskus masīvus aeroattēlu optiskā tuvuma efektu, staru-devu pārklāšanās un pretestības kontrasta sliekšņu dēļ. Un otrādi, specializētās optiskās sistēmas, kas izstrādātas simetriskai 1:1 modulācijai, var vienlaikus izšķirt 0,5 μm CD ar 0,5 μm līniju/telpu.
Šajā rokasgrāmatā ir sniegta stingra inženiertehniskā sistēma, lai novērtētu Nice{0}}Tech bezmasku litogrāfijas sistēmas (MLM 100, MLM 200, MLM 400 un MLM 500) attiecībā pret jūsu precīzo ierīces ģeometriju, pretestības ķīmiju, fokusa dziļumu (DOF) un tīras telpas caurlaidspējas prasībām.
1. IEVADS: KĀPĒC ĢEOMETRIJA IZRAKSTS APRĪKOJUMA IZVĒLI
Mikroražošanas tīrajās telpās bezmaskas litogrāfijas sistēmas (pazīstamas arī kā tiešās -rakstīšanas litogrāfijas, digitālās mikrospoguļierīces [DMD] projekcijas vai telpiskā gaismas modulatora [SLM] sistēmas) ir pārveidojušas ātru prototipēšanu, salikto pusvadītāju izgatavošanu un maza -līdz-vidēja apjoma ražošanu. Likvidējot fiziskās hroma-uz-kvarca fotomaskas, inženieru komandas var reāllaikā atkārtot dizaina izkārtojumus (GDSII vai OASIS failus).
Tomēr, lai izvēlētos pareizo iekārtu, ir jāaplūko virszemes{0}}līmeņa mārketinga apgalvojumi. Kad potenciālie pircēji interesējas par aprīkojuma iespējām, visizplatītākais jautājums ir: "Kāda ir šīs iekārtas izšķirtspēja?"
Ražošanas litogrāfijā "izšķirtspēja" nav viens skaitlis. Optiskais dzinējs uzvedas savādāk, ja tiek eksponēta viena izolēta līnija, salīdzinot ar simtiem blakus esošo paralēlu līniju, kas atrodas mikrometru attālumā. Iekārtas konfigurācijas izvēle, pamatojoties uz izolētu kompaktdisku, kad ierīcei ir nepieciešamas blīvas režģa līnijas, neizbēgami noved pie procesa kļūmes,{2}}kā rezultātā rodas līnijas savienošana, pretestības pamati vai sakļautas malu attiecības. Un otrādi, pārlieku -norādot sistēmu blīvām apakš-pus-mikronu līnijām, kad ierīcē ir tikai 1,5 μm maršrutēšanas pēdas, tiek palielināti nevajadzīgi kapitāla izdevumi un krasi samazinās vafeļu caurlaidspēja.
Lai veiktu apzinātu B2B kapitālieguldījumu, pircējiem ir jāizšķir fiziskās atšķirības starp kompaktdisku un līniju/telpu, tie jāsamēro tieši ar pārdevēja aprīkojuma specifikācijām un jānovērtē pamatā esošie optiskie kompromisi.
2. GALĪGĀ ATŠĶIRĪBA: Izolēts CD VS. BLĪVA LĪNIJA/TELPA
Lai saprastu, kāpēc optiskie tiešās{0}}rakstīšanas rīki uzrāda dažādas vērtības izolētam kompaktdiskam un blīvai līnijai/telpai, ir jāpārbauda aeroattēlu veidošanās fizika, optiskā tuvuma efekti un fotorezistenta ķīmija.
2.1. Kas ir kritiskā dimensija (CD)?
Pusvadītāju metroloģijā kritiskā dimensija attiecas uz visjutīgāko ģeometrisko elementu integrālajā shēmā vai MEMS ierīcē. Parasti kompaktdisks attiecas uz izolētu līdzekli:
• Izolēts vārtu pirksts uz gallija nitrīda (GaN) augstas{0}}elektronu-mobilitātes tranzistora (HEMT).
• Izolēta optiskā viļņvada izciļņa integrētā fotonikas shēmā.
• Izolēta kontakta atvere vai konsoles eņģes MEMS sensorā.
Eksponējot izolētu līniju bezmaskas sistēmā, optiskais dzinējs koncentrē ekspozīcijas enerģiju šaurā fotorezista joslā. Tā kā tiešā tuvumā nav blakus esošu paraugu, izkliedētā izkliedētā gaisma (difrakcijas puses{1}}daivas) nekaitīgi izkliedējas tumšajā laukā. Precīzi kalibrējot ekspozīcijas devu, skaitlisko diafragmu un izstrādes laiku, moderna tiešās-rakstīšanas sistēma var sasniegt izcili smalkas izolētas CD vērtības-bieži līdz 0,4 μm.
2.2. Kas ir minimālā līnija/atstarpe (L/S)?
Turpretī Minimālā līnija/atstarpe attiecas uz blīvu mainīgu līniju un atstarpju masīvu, kas parasti ir konfigurēts 1:1 slīpuma attiecībā (vienāds līnijas platums un tranšejas atstarpe):
• Optiskās difrakcijas režģi, fotoniskie kristāli un sadalītās atgriezeniskās saites (DFB) lāzera spoguļi.
• Augsta-blīvuma interdigitated Electrode (IDE) biosensori un mikroelektrodu bloki (MEA).
• Blīvs metalizācijas solis un kopnes maršrutēšana uzlabotā iepakojumā.
Kad optiskais dzinējs projicē vairākus cieši izvietotus starus vai modulētus mikrospoguļa pikseļus, gaismas viļņi no blakus esošajām līnijām pārklājas optiskās difrakcijas dēļ. Šī optiskā šķērsruna rada paaugstinātu "fona intensitāti" neeksponētā tranšejā starp līnijām.
Aeroattēla optisko kontrastu nosaka modulācijas pārsūtīšanas funkcija (MTF):
Kontrasts=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Pieaugot piķim, optiskā tuvuma efektu dēļ I_min (intensitāte tumšajā telpā) ievērojami palielinās virs nulles. Ja gaisa attēla kontrasts nokrītas zem fotorezista ķīmiskā kontrasta sliekšņa, fotorezists nevar atšķirt eksponēto līniju un neeksponēto tranšeju. Tas rada klasiskus tīras telpas defektus:
• Pretoties tiltiem: nepilnīga attīstība, kur blakus esošās līnijas saplūst kopā.
• Noturība pret putošanu: Tranšejas grīdā palikušas fotorezista putas.
• Raksta sabrukums: augstas{0}}izmēra-blīvas pretestības līniju mehāniska atteice žāvēšanas laikā ar šķīdinātāju.
2.3. Kāpēc MLM 200 sasniedz 0,4 μm CD, bet 0,8 μm līniju/atstarpi?
Lielisks šīs fiziskās maiņas-piemērs ir redzams Nicas-Tech MLM 200 modelī:
• Kritiskais izmērs (izolēts): 0,4 μm
• Minimālā līnija/atstarpe (blīvums 1:1): 0,8 μm
Šis parametru profils ir izplatīts augstas -precizitātes tiešās-rakstīšanas litogrāfijā. MLM 200 izmanto fokusētu optisko piegādes dzinēju, kas spēj ierakstīt īpaši-smalkas izolētas funkcijas līdz 0,4 μm. Tomēr, novietojot līnijas blakus--blakus blīvā 1:1 režģī, optiskā tuvuma izplatība nosaka minimālo atstarpi 0,8 μm, lai nodrošinātu pietiekamu optisko kontrastu (I_max pret I_min), lai pilnībā atbrīvotu tranšeju bez tilta izveidošanas.
MLM 200 ir optimāls RF barošanas ierīču izstrādātājiem, kas veido 0,4 μm GaN HEMT vārtus ar plašu avota-notekas atstarpi (2 μm līdz 5 μm). Tomēr, ja tas pats izstrādātājs mēģina izdrukāt 0,4 μm / 0,4 μm blīvu režģi (0,8 μm pilns piķis), optiskais kontrasts pasliktināsies, izraisot pretošanos tiltu veidošanai, ja vien netiks atlasīta optiskā sistēma, kas īpaši optimizēta blīviem 1:1 masīviem.
2.4. Kāpēc MLM 500 nodrošina 0,5 μm CD un simetrisko 0,5 μm līniju/telpu?
Turpretim Nice{0}}Tech MLM 500 funkcijas:
• Kritiskais izmērs (izolēts): 0,5 μm
• Minimālā līnija/atstarpe (blīvums 1:1): 0,5 μm
MLM 500 ietver augstas-skaitliskās-diafragmas (augstas-NA) projekcijas sistēmu, kas apvienota ar uzlabotu telpiskās gaismas modulāciju un sub-pikseļu malu kompensāciju. Šī optiskā konfigurācija saglabā augstu MTF kontrastu pat pie šaurām optiskajām frekvencēm, ļaujot gaismas intensitātei strauji samazināties tumšajos atstatuma reģionos. Rezultātā blīvas līnijas un atstarpes 1:1 var simetriski izšķirt līdz 0,5 μm, neveidojot sārņus vai tiltus.
3. TEHNISKĀS ATLASES MATRIKSA: JAUKS-TECHNIKAS BEZMASKU LITOGRĀFIJAS SASTĀVS
Nice{0}}Tech ražo četrus īpašus bezmasku litogrāfijas modeļus, no kuriem katrs ir izstrādāts konkrētiem ražošanas domēniem un ģeometriskiem profiliem. Tālāk esošajā tabulā ir norādītas oficiālās tehniskās specifikācijas:
=================================================================================================================
Modeļa kompaktdisks (izolēts) Minimālā līnija/atstarpe (1:1) Primārā optiskā domēna tīrās telpas fokuss
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1,0 μm Balanced High-DOF Direct Write vispārīga pētniecība un attīstība, MEMS, mikrofluidika
MLM 200 0.4 μm 0,8 μm Fine-Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, Waveguides
MLM 400 1.0μm 2,0 μm platums-lauks, augsts-caurlaidspējas dzinēja biezuma pretestība, iepakojuma RDL, jaudas IC
MLM 500 0.5 μm 0,5 μm augsts-NA simetriska kontrasta dzinēja blīvi optiskie režģi, MEA, kristāli
=================================================================================================================
3.1. Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0,8 μm|L/S: 1,0 μm)
MLM 100 ir izstrādāts kā daudzpusīgs mugurkauls vairāku-lietotāju universitāšu nanoražošanas centriem, rūpnieciskām pētniecības un izstrādes laboratorijām un MEMS prototipu iekārtām.
• Ģeometriskais profils: droši izšķir izolētus objektus līdz 0,8 μm un blīvas periodiskas līnijas līdz 1,0 μm.
• Optiskie raksturlielumi: darbojas ar optisko skaitlisko apertūru, kas optimizēta plašam procesa platumam. Tas nodrošina lielu fokusa dziļumu (DOF parasti > 5 μm līdz 10 μm atkarībā no pretestības biezuma), padarot to pielaidīgu pret substrāta virsmas topogrāfiju un nelielu vafeļu loku.
• Procesa savietojamība: saderīgs ar standarta pozitīvās i-līnijas/h-līnijas novolaka fotorezistiem (piemēram, AZ 1500, AZ 4562, Shipley S1800 sēriju) un negatīvajiem izturētājiem (SU-8, KMPR).
• Tipiski lietojumi: mikrofluīdu plūsmas kanāli, biomedicīnas mikroshēmas, konsoles akselerometri, akustiskie rezonatori un standarta vafeļu{0}līmeņa testa struktūras.
• Iepirkuma ieteikums: izvēlieties MLM 100, ja jūsu tīrā telpa apstrādā dažādus projektus, apstrādā mērenu pretestības biezumu (1,5 μm līdz 5 μm) un tai nav nepieciešami elementu izmēri, kas ir mazāki par -pus-mikronu.
3.2. Nice-Tech MLM 200: precizitāte sub-mikronu ierīcēm (CD: 0,4 μm|L/S: 0,8 μm)
MLM 200 ir paredzēts-tīrām telpām, kurās tiek ražotas augstas-frekvences, saliktu pusvadītāju un precīzas optoelektroniskas ierīces, kur vissvarīgākās ir sub-mikronu izolētas funkcijas.
• Ģeometriskais profils: sasniedz kritisko izmēru 0,4 μm izolētām līnijām, vārtiem un kontaktu sloksnēm ar blīvas līnijas/telpas iespēju pie 0,8 μm.
• Optiskās īpašības: izmanto specializētu staru{0}}formēšanas optiku un precīzu ekspozīcijas devas kontroli, lai uzlabotu malu kontrastu izolētās struktūrās.
• Procesu saderība: lieliski darbojas ar plāniem, augsta-kontrasta fotorezistiem (biezums no 0,5 μm līdz 1,2 μm), piemēram, AZ 6112, AZ 703 vai SPR 700. Nepieciešama stingrāka fokusa kontrole nekā MLM 100.
• Tipiski pielietojumi: T-vārtu un sēņu aizbīdņu rakstīšana gallija nitrīda (GaN) un gallija arsenīda (GaAs) HEMT ierīcēm, ātrdarbīgi-fotodetektori, optiskā viļņvada maršrutēšana un sub-mikronu izolētas metāla pacelšanas{3}}konstrukcijas.
• Iepirkuma ieteikums: izvēlieties MLM 200, ja jūsu procesam ir nepieciešams veidot kritiski izolētus vārtus vai līnijas no 0,4 μm līdz 0,8 μm, neprasot blīvus periodiskus blokus, kas mazāki par 0,8 μm.
3.3. Nice-Tech MLM 400: augsta-caurlaidspēja un bieza-izturīga apstrāde (CD: 1,0 μm|L/S: 2,0 μm)
MLM 400 ir pielāgots iekārtām, kurās prioritāte ir ekspozīcijas caurlaidspēja, liela-apgabala apstrāde un savietojamība ar īpaši-bieziem fotorezistiem.
• Ģeometriskais profils: konfigurēts 1,0 μm izolētam kompaktdiskam un 2,0 μm minimālajai līnijai/atstarpei.
• Optiskās īpašības: izmanto lielāku optiskās projekcijas lauku un lielu -dziļu--fokusa optisko līniju. Paplašinātais DOF (bieži vien > 20 μm līdz 50 μm biezos rezistos) nodrošina, ka gaisma dziļi iekļūst biezās plēvēs, nepasliktinot sānu malu leņķus.
• Caurlaidības priekšrocības: tā kā katrs optiskais kadrs aptver plašāku ekspozīcijas apgabalu, vafeļu rakstīšanas laiki ir ievērojami ātrāki nekā ar smalkas{0}}izšķirtspējas rīkiem. Pilnas 100 mm vai 150 mm vafeles eksponēšana MLM 400 var tikt pabeigta niecīgā laika posmā, kas nepieciešams sub -mikronu sistēmām.
• Procesa saderība: ideāli piemērots biezu{0}} plēvju fotorezistiem (10 μm līdz 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polimīds, BCB).
• Tipiski pielietojumi: uzlabotas iepakošanas pārdales slāņi (RDL), vafeļu -līmeņa mikroshēmu mēroga iepakojums (WLCSP), lielas-strāvas jaudas pusvadītāju kopnes, mikrofluidiskās galvenās veidnes, biezas galvanizācijas veidnes un lielapjoma mikroapstrādātas MEMS.
• Iepirkuma ieteikums: izvēlieties MLM 400, ja jūsu īpašības ir lielākas vai vienādas ar 1,0 μm, jūsu procesā tiek izmantoti biezi izturīgi pārklājumi vai liela vafeļu caurlaidspēja ir jūsu galvenā komerciālā prioritāte.
3.4. Nice-Tech MLM 500: simetriski augsta-blīvuma izšķirtspēja (CD: 0,5 μm|L/S: 0,5 μm)
MLM 500 ir Nice{1}}Tech vadošā sistēma prasīgai mikro-optisko, fotonisko un blīvo periodisko sensoru izgatavošanai.
• Ģeometriskais profils: nodrošina līdzsvarotu 0,5 μm izolētu kompaktdisku kopā ar 0,5 μm blīvu 1:1 līnijas/atstarpes soli (1,0 μm pilns režģa solis).
• Optiskās īpašības: apvieno augstas{0}NA projekcijas optiku ar uzlabotu digitālo mikrospoguļa modulāciju un sub{1}}pikseļu malu interpolāciju. Šī sistēma nomāc difrakcijas sānu{3}}daivas un novērš izkliedētas gaismas uzkrāšanos šaurās tranšejās.
• Procesa saderība: nepieciešama stingra tīras telpas temperatūras kontrole (±0,5 grādi) un plānas, augsta kontrasta pretestība (0,3 μm līdz 0,8 μm).
• Tipiski pielietojumi: sub-mikronu difrakcijas režģi, optiskie metamateriāli, fotonisko kristālu viļņvadi, blīvās virsmas akustisko viļņu (SAW) pārveidotāji, savstarpēji savienoti biosensori un mikroelektrodu bloki (MEA).
• Iepirkuma ieteikums: izvēlieties MLM 500, ja jūsu ierīces arhitektūra lielā mērā ir atkarīga no blīvām, cieši iesaiņotām periodiskām struktūrām pus-mikronu mērogā.
4. ATVESĪTĀS INŽENIERĀCIJAS
Izvēloties starp MLM 100, 200, 400 un 500, inženieriem jāņem vērā arī trīs kritiski sekundāri parametri, kas tieši ietekmē ikdienas tīrās telpas darbības:
4.1. Ekspozīcijas ātrums (caurlaidība) salīdzinājumā ar izšķirtspēju
Jebkurš tiešās-rakstīšanas litogrāfijas rīks ir fundamentāls fiziskais kompromiss-starp ekspozīcijas ātrumu un optisko izšķirtspēju:
• Precīzai izšķirtspējai (tāpat kā MLM 200 un MLM 500) ir nepieciešams mazāks projicētais pikseļa izmērs un lielāks palielinājums, kas nozīmē, ka ar noteiktu gaismas avota jaudu sekundē tiek eksponēts mazāk vafeles kvadrātmilimetru.
• Atvieglinātā izšķirtspēja (kā MLM 400) izmanto lielākus projicētos pikseļus, aptverot lielākus ekspozīcijas laukumus uz vienu digitālo zibspuldzi un ievērojami palielinot vafeļu caurlaidspēju.
Īkšķis: nekad neiegādājieties lielāku izšķirtspēju, nekā prasa jūsu ierīces arhitektūra. Ja jūsu visciešākā metāla līnija ir 2,5 μm, izvēloties 0,4 μm instrumentu, ekspozīcijas laiks tiks nevajadzīgi pagarināts no minūtēm līdz stundām uz vienu plāksni.
4.2. Fokusa dziļums (DOF) un pretestības biezums
Reilija fokusa dziļuma vienādojums regulē visas projekcijas sistēmas:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Ievērojiet, ka DOF samazinās līdz ar skaitliskās apertūras kvadrātu. Augsts-NA objektīvs, kas nepieciešams zem-pus-mikrona izšķirtspējai, nodrošina šauru fokusa dziļumu (bieži vien <1,5 μm). Ja inženieris mēģina izgriezt 15 μm biezu SU-8 pretestību ar instrumentu ar augstu NA, rezistences augšdaļa var būt fokusā, bet apakšdaļa kļūst stipri izplūdusi, radot zemas vai slīpas sānu sienas.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 nodrošina nepieciešamo fokusa dziļumu.
• Standarta rezistiem (1,5 μm līdz 5 μm): MLM 100 nodrošina optimālu izšķirtspējas un DOF līdzsvaru.
• Īpaši-plānām rezistēm (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3. Slāņa-līdz-slāņa līdzināšana un pārklājuma precizitāte
Litogrāfijas rīks reti darbojas izolēti; tas raksta slāņus virs iepriekš iegravētām vai metalizētām konstrukcijām.
• Augšpuses optiskā izlīdzināšana: visos Nice{0}}Tech MLM modeļos ir augstas-izšķirtspējas mašīnas-redzes kameras, kas spēj automātiski atpazīt atskaites zīmes, nodrošinot slāņa-līdz-slāņa pārklājuma precizitāti, kas parasti ir robežās no ±0,5 μm līdz ±0,2 μm.
• Aizmugures izlīdzināšana: būtiska MEMS, izmantojot -vafeļu dobumus, spiediena sensorus un barošanas ierīces caurumus. Jautājiet par pārraides infrasarkano (IR) vai apakšējās-puses optiskās kameras konfigurācijām, ja jūsu procesam ir nepieciešama divpusēja reģistrācija.
4.4 Substrāta daudzpusība un bezmaskas priekšrocības
Atšķirībā no stingrajiem kontaktu izlīdzinātājiem vai reducētājiem, kuriem ir nepieciešami standartizēti, vafeļu-līdzeni substrāti, Nice-Tech bezmasku sistēmas nodrošina universālu substrātu savietojamību:
• Pamatnes izmēri: pilnas vafeles (2 collu, 4 collu, 6 collu, 8 collu un 12 collu), kā arī neregulāri sašķeltas formas fragmenti (līdz 5 mm × 5 mm).
• Pamatnes materiāli: standarta silīcijs, caurspīdīgs kausēts silīcija dioksīds, kvarcs, stikls, gallija nitrīds (GaN), silīcija karbīds (SiC), gallija arsenīds (GaAs), litija niobāts un elastīgi polimēru substrāti.
• Dinamisks autofokuss:{0}}reāllaika optiskā virsmas izsekošana automātiski kompensē substrāta priekšgala un ķīļa kļūdu, nodrošinot konsekventu fokusu izliektajās pusvadītāju plāksnēs.
5. PARAUGU VAFEĻU TESTĒŠANA UN SEM METROLOĢIJAS PĀRBAUDE
Pirms kapitāliekārtu iegādes pabeigšanas tehniskajiem pircējiem nekad nevajadzētu paļauties tikai uz publicētajām specifikāciju lapām. Tīras telpas apstākļi, pretestības sastāvi un attīstītāja ķīmija dažādās iekārtās ļoti atšķiras.
Nice{0}}Tech stingri mudina potenciālos klientus pirms pirkuma pasūtījuma izsniegšanas veikt vafeļu ekspozīcijas paraugu pārbaudi. Verifikācijas protokolā jānovērtē pieci galvenie metroloģijas parametri, izmantojot skenēšanas elektronu mikroskopiju (SEM):
1. Kritiskās dimensijas vienveidība (CDU 3σ): mēriet mērķa CD vismaz 20 punktos pāri plāksnei (centrā, vidū, malā), lai nodrošinātu, ka izmēru novirze ir ±5% robežās.
2. Blīvs līnijas/telpas soļa klīrenss: ar šķērsgriezuma -SEM pārbaudiet, vai blīvās 1:1 tranšejās nav sārņu, mikro-tiltu vai stāvu{5}}viļņu pamatnes.
3. Sānu sienas leņķis: pārbaudiet, vai fotorezista sānu sienu profili pārsniedz 85 grādus (vai atbilst jūsu procesa prasībām, piemēram, retrogrāds apakšējais profils pacelšanai{2}}).
4. Līnijas malu raupjums (LER) un līnijas platuma nelīdzenums (LWR): pārbaudiet SEM attēlus ar augstu-palielinājumu-uz leju, lai pārbaudītu gludās līniju malas, kas ir būtiskas fotoniskā viļņvada zudumam un RF vārtu veiktspējai.
5. Pārklājuma precizitāte: izveidojiet testa nonija skalu uz jau esošā izlīdzināšanas slāņa, lai pārbaudītu reģistrācijas atkārtojamību visā substrāta laukumā.
6. PIRMS-IEPIRKUMU PĀRBAUDES SARAKSTS: KAS SAGATAVOTIES PIRMS PIEDĀVĀJUMA PIEPRASĪŠANAS
Lai saņemtu precīzu, pielāgotu piedāvājumu un aprīkojuma konfigurāciju no Nicas{0}}Tehnoloģiju, iepirkumu un procesu inženieru komandām ir jāsagatavo šāds tehniskais kontrolsaraksts:
[1]. Mērķa substrāta specifikācija:
• Materiāls: silīcijs, kvarcs, safīrs, GaN, SiC, stikls vai cits.
• Formāts: vafeles diametrs (piem., 4 collas, 6 collas, 8 collas) vai mazas šķeltās skaidas (piemēram, 10 mm × 10 mm).
• Virsmas stāvoklis: pulēts, metalizēts, caurspīdīgs vai izliekts (norādiet loku mikrometros).
[2]. Funkcijas ģeometrijas prasības:
• Minimālais kritiskais izmērs (izolēta līnija, vārti vai kontakta caurums).
• Minimālā līnija/atstarpe (prasība pēc blīva masīva augstuma).
• Kritiskā slāņa tolerance (piemēram, mērķa CD ± 5%).
[3]. Fotorezista process:
• Fotorezista veids: pozitīvs, negatīvs vai divkrāsains{0}}tonis.
• Fotorezista nosaukums: (piem., AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Mērķa plēves biezums: (piemēram, 0,8 μm, 2,5 μm, 25 μm).
[4]. Izlīdzināšanas un slāņu prasības:
• Viena slāņa ekspozīcija vai vairāku{0}slāņu reģistrācija.
• Izlīdzināšanas metode: augšpuses optiskais vai aizmugurējais infrasarkanais (IR).
• Mērķa pārklājuma precizitāte: (piem., < 0,5 μm).
[5]. Caurlaide un ražošanas apjoms:
• Paredzamais vafeles apjoms: (piem., 5 vafeles nedēļā pētniecībai un attīstībai pret . 50 vafeles dienā izmēģinājuma ražošanai).
• Prasība pēc automatizācijas: manuāla substrāta ielāde vai daļēji{0}}kasešu apstrāde.
[6]. Izkārtojuma datu formāts:
• Gatavi standarta dizaina faili: GDSII, OASIS, DXF vai CIF.
7. SECINĀJUMS UN NĀKAMĀS DARBĪBAS: SADARBĪBA AR NICE-TECH
Lai izvēlētos pareizo bezmaskas litogrāfijas sistēmu, ir jāsabalansē izolēts kompaktdisks, blīvs līnijas/atstarpes solis, fokusa dziļums, pretestības biezums un ražošanas ātrums.
• Ja jūsu tīrajā telpā ir nepieciešams visaptverošs pētniecības un izstrādes darbs, MLM 100 nodrošina nepārspējamu daudzpusību un procesa iespējas.
• Ja jūsu uzmanības centrā ir sub{0}}mikronu izolētas RF un barošanas elektronikas funkcijas, MLM 200 nodrošina 0,4 μm CD precizitāti.
• Ja jūsu objektā tiek apstrādāti biezi izturīgi materiāli, uzlabots iepakojums vai nepieciešama maksimāla caurlaidspēja, MLM 400 ir nozares standarts.
• Ja jūsu lietojumprogrammām ir nepieciešami stingri 0,5 μm blīvi 1:1 periodiski bloki, režģi vai fotoniskas struktūras, MLM 500 nodrošina simetrisku optisko izcilību.
Vai esat gatavs novērtēt savus dizainus jaukā-Tech bezmasku litogrāfijas sistēmā?
Apmeklējiet Nice{0}}Tech oficiālo produkta lapu, lai izpētītu detalizētas iekārtas specifikācijas:
Sazinieties ar mūsu vecāko lietojumprogrammu inženieru komandu vietnē dmjsemi.com, lai iesniegtu CAD/GDSII testa modeļus bezmaksas vafeļu ekspozīcijas paraugam un SEM metroloģijas pārbaudei. Mēs konfigurēsim aprīkojuma piedāvājumu, kas īpaši izstrādāts jūsu tīrās telpas tehniskajam un budžeta plānam.
