Parasto 200 mm CMOS mikroshēmu vafeļu ražošanas process.
Ķīmiskā tvaiku pārklāšana ir paņēmiens, ko izmanto mikroelektronisko ierīču ražošanā, lai uzklātu plānu kārtiņu, kas var būt dielektrisks materiāls vai pusvadītājs. Fizikālā tvaiku pārklāšanas tehnoloģija izmanto inertas gāzes, lai ietekmētu izsmidzināšanas mērķus un nogulsnētu vajadzīgo materiālu uz vafeles virsmas. Augstā temperatūra un vakuuma vide procesa reakcijas kamerā var izraisīt šo metāla atomu graudiņu veidošanos, kurus pēc tam var veidot un iegravēt, lai iegūtu vēlamo vadošo ķēdi.
Optiskā attīstība ir process, kurā grafikas pārveido no fotomaskas uz plānu plēvi. Optiskā attīstība parasti ietver tādas darbības kā fotorezista pārklājums, cepšana, gaismas izlīdzināšana, ekspozīcija un izstrāde. Sausā kodināšana ir visbiežāk izmantotā kodināšanas metode, kas izmanto gāzi kā galveno kodināšanas vidi un plazmu, lai vadītu reakciju. Kodināšana ir nevēlama materiāla noņemšana no virsmas.
Ķīmiskā mehāniskā pulēšana (CMP) ir tehnoloģija, kas apvieno gan mehānisko pulēšanu, gan ķīmisko pulēšanu uz skābes-bāzes šķīduma bāzes, kas var padarīt vafeļu virsmu salīdzinoši plakanu un atvieglot turpmākos procesus. Slīpēšanas laikā malšanas virca atrodas starp vafeli un slīpēšanas paliktni. Faktori, kas ietekmē CMP, ietver slīpēšanas galviņas spiedienu un vafeļu plakanumu, griešanās ātrumu, slīpēšanas vircas ķīmisko sastāvu utt.
