Vafeļu tīrīšana attiecas uz ķīmisku vai fizikālu metožu izmantošanas procesu, lai integrēto shēmu ražošanas laikā no plāksnītes virsmas noņemtu piesārņotājus un oksīdus, lai nodrošinātu atbilstību vafeļu virsmas tīrības prasībām. Vafeļu tīrīšanas princips ir dažādu netīrumu noņemšana, nesabojājot vafeles.
Ir četri galvenie daļiņu noņemšanas mehānismi: šķīdināšana, oksidatīvā sadalīšanās, elektriskā atgrūšana starp daļiņām un silīcija plāksnīšu virsmām un neliela silīcija plāksnīšu virsmu korozija.
Metāla daļiņu noņemšanai parasti izmanto SC-2 šķīdumu vai HPM šķīdumu, lai samazinātu metāla saturu uz vafeļu virsmas. SC-2 šķīdums tiek kristalizēts, kas pēc tīrīšanas var palielināt daļiņu skaitu uz vafeles virsmas. Tāpēc HCL vietā var izmantot HF vai SC-2 šķīduma vietā var izmantot O3 kombinācijā ar HF, lai efektīvi noņemtu metāla daļiņas.
Organisko piesārņotāju noņemšanai parasti izmanto SPM šķīdumu vai UV/ozona ķīmiskās tīrīšanas tehnoloģiju.
Pēc mitrās tīrīšanas vafele ir rūpīgi jāizžāvē, lai pārliecinātos, ka uz virsmas nav ūdens pēdu pirms nākamā procesa uzsākšanas. Trīs visizplatītākie pašlaik pieejamie žāvēšanas režīmi ir rotācijas žāvēšana, Marangoni žāvēšana un karstā izopropanola izsmidzināšanas žāvēšana.
