Šī vertikālās šķidrās fāzes epitaksijas krāsns ir paredzēta HgCdTe plānās -plēves materiālu šķidrās-fāzes epitaksiālajai augšanai, koncentrējoties uz As-leģētu P-tipa materiālu ražošanu, ko izmanto P-on-N struktūru detektoros. Tas nodrošina stabilu, kontrolējamu augšanas vidi un atbalsta uzticamu pakešu apstrādi, padarot to piemērotu gan pētniecībai un attīstībai, gan maza mēroga-augstas veiktspējas infrasarkano staru detektoru materiālu ražošanai.

Vertikālā struktūra palīdz samazināt šķidruma saķeri, skrāpējumus un augšanas viļņus, kā rezultātā materiāla virsma kļūst tīrāka un vienmērīgāka.

Epitaksiskā materiāla izmantojamā platība ir salīdzinoši liela, kas uzlabo materiāla izmantošanu un atbalsta efektīvāku apstrādi.

Biezuma kontrole epitaksiālās augšanas laikā ir precīza, palīdzot nodrošināt materiāla veiktspējas konsekvenci visās partijās.

Temperatūras kontrole ir stabila ±0,5 grādu robežās, atbalstot atkārtojamību, kas nepieciešama konsekventai materiāla augšanai.

Pastāvīgās -temperatūras zona ir vismaz 150 mm gara, nodrošinot pietiekami daudz vietas augšanas procesam.

Tas var apstrādāt līdz 6 gabaliem (40 mm × 60 mm) vienā piegājienā, līdzsvarojot caurlaidspēju un procesa stabilitāti praktiskai ražošanas lietošanai.

Sistēma galvenokārt tiek izmantota plānu kārtiņu, kuru pamatā ir HgCdTe-, un As-leģētu P- tipa materiālu sagatavošanā, kas kalpo kā P-on-N struktūras detektoru galvenie komponenti. Šos detektorus plaši izmanto infrasarkano staru attēlveidošanā, kosmosa attālajā uzrādīšanā, rūpnieciskajā termiskajā attēlveidošanā un saistītos zinātniskās pētniecības un attīstības scenārijos.

FAQ

J: 1. Kas ir vertikālā šķidrās fāzes epitaksijas krāsns?

A. Vertikālā šķidrās fāzes epitaksijas krāsns ir specializēta iekārta HgCdTe plānās{0} plēves audzēšanai, izmantojot šķidrās fāzes epitaksiju (LPE). To galvenokārt izmanto, lai sagatavotu As-P-tipa materiālus augstas-veiktspējas P-on-N struktūras detektoriem, nodrošinot stabilu, vadāmu vidi augstas-kvalitātes epitaksiskā slāņa veidošanai.

J: 2. Kādi ir šīs krāsns galvenie pielietojumi?

A: To plaši izmanto pētniecībā un izstrādē, kā arī uz HgCdTe{0}}bāzētu plānu kārtiņu un As-leģētu P- tipa materiālu ražošanā, kas ir P-on-N struktūras detektoru galvenie komponenti. Tipiski lietojumi ietver militāro infrasarkano attēlveidošanu, kosmosa attālo uzrādi, rūpniecisko termisko attēlveidošanu un progresīvus optoelektroniskos pētījumus.

J: 3. Kādas ir šīs vertikālās LPE krāsns galvenās priekšrocības?

A: Izaugušā materiāla virsma ir brīva no šķidruma adhēzijas, skrāpējumiem un augšanas viļņošanās, nodrošinot augstu virsmas kvalitāti.
Liels epitaksiālo materiālu izmantojamais laukums uzlabo izmantošanas efektivitāti.
Augsta biezuma kontroles precizitāte nodrošina konsekventu epitaksiskā slāņa veiktspēju.
Lieliska temperatūras stabilitāte (mazāka vai vienāda ar ±0,5 grādiem) un gara nemainīgas -temperatūras zona (lielāka par vai vienāda ar 150 mm) nodrošina stabilu, atkārtojamu augšanu.

J: 4. Kādi ir galvenie tehniskie parametri?

A: Slodzes jauda: lielāka vai vienāda ar 6 gabaliem (40 mm × 60 mm) vienā piegājienā.
Temperatūras kontroles precizitāte: mazāka par ±0,5 grādiem vai vienāda ar to.
Konstantas-temperatūras zonas garums: lielāks vai vienāds ar 150 mm.

J: 5. Vai šī krāsns ir piemērota pētniecībai un attīstībai un neliela apjoma ražošanai?

A: Jā. Tā līdzsvarotā iekraušanas jauda, stabila temperatūras kontrole un augsta augšanas vienmērīgums padara to ideāli piemērotu materiālu pētniecībai un izstrādei, kā arī augstas kvalitātes HgCdTe epitaksiālo materiālu nelielas -partijveida ražošanai.

J: 6. Kā tas nodrošina stabilu un atkārtojamu materiāla augšanu?

A: Augstas-precizitātes temperatūras kontrole, gara nemainīgas-temperatūras zona un vertikāla struktūra, kas samazina defektus, darbojas kopā ar standartizētiem procesa parametriem, lai nodrošinātu konsekventus augšanas rezultātus visās partijās.