Atbilstoši dažādiem lietojumiem tos var iedalīt mikroshēmu ražošanā, iepakošanā un LED ražošanā.
Atkarībā no dažādiem gaismas avotiem tos var iedalīt ultravioletās gaismas avotos (UV), dziļās ultravioletās gaismas avotos (DUV) un ekstremālajos ultravioletās gaismas avotos (EUV). Gaismas avota viļņa garums ietekmē litogrāfijas iekārtas procesu.
Ekstrēmā ultravioletā litogrāfijas iekārta ir pieņēmusi jaunu pieeju, lai turpmāk nodrošinātu īsāka viļņa garuma gaismas avotus. Galvenā pašlaik izmantotā metode ir eksimēra lāzera apstarošana uz alvas pilienu ģeneratoru, kas ierosina 13,5 nm fotonus kā gaismas avotu litogrāfijas iekārtai. ASML šobrīd ir vienīgais ražotājs pasaulē, kas spēj projektēt un ražot EUV litogrāfijas iekārtas.
Pēc dažādām darbības metodēm to var iedalīt kontaktlitogrāfijā, tiešās rakstīšanas litogrāfijā un projekcijas litogrāfijā.
kontaktu drukāšana
Kontaktu drukāšana
Maskas plāksne ir tiešā saskarē ar fotorezista slāni. Eksponētā raksta izšķirtspēja ir salīdzināma ar zīmējuma izšķirtspēju uz maskas plāksnes, un aprīkojums ir vienkāršs. Saskaņā ar spēka pielietošanas metodi kontaktu var iedalīt mīkstajā kontaktā, cietajā kontaktā un vakuuma kontaktā.
1a. Mīkstais kontakts attiecas uz substrāta piestiprināšanas procesu uz paplātes (līdzīgi kā līmes izkliedētāja substrāta novietošanas metodei), ar masku, kas pārklāj substrātu;
1b. Ciets kontakts ir process, kurā substrāts tiek stumts uz augšu zem spiediena (slāpekļa), lai izveidotu kontaktu ar maskas plāksni;
1.c. Vakuuma kontakts ir gaisa izsūkšanas process starp maskas plāksni un pamatni, lai nodrošinātu labāku saķeri.
Funkcijas: fotorezista piesārņojuma maskas plāksne; Masku plāksnes ir pakļautas bojājumiem, un tām ir īss kalpošanas laiks (tikai no 5 līdz 25 lietošanas reizēm); Viegli uzkrāties defekti.
Tuvuma litogrāfija
Tuvuma drukāšana
Starp maskas plāksni un fotorezista substrāta apakšējo slāni ir neliela atstarpe (apmēram 2,5–25 μm). Tas var efektīvi izvairīties no maskas plāksnes bojājumiem, ko izraisa tiešs kontakts ar fotorezistu, padarot masku un fotorezista substrātu izturīgu lietošanai; Maskai ir ilgs kalpošanas laiks (to var palielināt vairāk nekā 10 reizes) un mazāk grafisko defektu. Mūsdienu fotolitogrāfijas procesos plaši tiek izmantota tuvuma litogrāfija.
